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30N03A
TO-252 MOSFETS ROHS
30N03A
FET simples, MOSFET
UMW
TO-252 MOSFETS
-
Bande et bobine (TR)
8534
: $0.5400
: 8534

1

$0.5400

$0.5400

10

$0.4600

$4.6000

100

$0.3200

$32.0000

500

$0.2500

$125.0000

1000

$0.2000

$200.0000

2500

$0.1800

$450.0000

5000

$0.1700

$850.0000

12500

$0.1600

$2,000.0000

25000

$0.1600

$4,000.0000

62500

$0.1500

$9,375.0000

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30N03A
-
UMW
TO-252 MOSFETS
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Bande et bobine (TR)
8534
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
TAPERDESCRIPTION
FabricantUMW
SérieUMW
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C90A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)105W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-252 (DPAK)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)30 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1963 pF @ 15 V
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