+86-15869849588
  • image of FET simples, MOSFET>AS1M025120P
  • image of FET simples, MOSFET>AS1M025120P
AS1M025120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
AS1M025120P
FET simples, MOSFET
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
-
Tube
6624
1
: $38.0300
: 6624

1

$38.0300

$38.0300

10

$33.8000

$338.0000

100

$29.5600

$2,956.0000

image of FET simples, MOSFET>AS1M025120P
image of FET simples, MOSFET>AS1M025120P
AS1M025120P
-
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
-
Tube
6624
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantAnbon Semiconductor
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-3
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C90A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 50A, 20V
Dissipation de puissance (maximum)463W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 15mA
Package d'appareil du fournisseurTO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (Max)+25V, -10V
Tension drain-source (Vdss)1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs195 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3600 pF @ 1000 V
captcha

+86-15869849588
0