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AS1M025120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
AS1M025120T
FET simples, MOSFET
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
-
Tube
6515
1
: $38.0500
: 6515

1

$38.0500

$38.0500

10

$33.8100

$338.1000

100

$29.5700

$2,957.0000

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AS1M025120T
-
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
-
Tube
6515
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantAnbon Semiconductor
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-4
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C65A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 50A, 20V
Dissipation de puissance (maximum)370W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 15mA
Package d'appareil du fournisseurTO-247-4
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (Max)+25V, -10V
Tension drain-source (Vdss)1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs195 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4200 pF @ 1000 V
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