+86-15869849588
  • image of FET simples, MOSFET>AS2302
  • image of FET simples, MOSFET>AS2302
AS2302
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
AS2302
FET simples, MOSFET
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL ENHAN
-
Bande et bobine (TR)
30312
1
: $0.0300
: 30312

1

$0.1900

$0.1900

10

$0.1300

$1.3000

100

$0.0700

$7.0000

500

$0.0600

$30.0000

1000

$0.0400

$40.0000

3000

$0.0300

$90.0000

6000

$0.0300

$180.0000

9000

$0.0300

$270.0000

30000

$0.0200

$600.0000

75000

$0.0200

$1,500.0000

150000

$0.0200

$3,000.0000

image of FET simples, MOSFET>AS2302
image of FET simples, MOSFET>AS2302
AS2302
-
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL ENHAN
-
Bande et bobine (TR)
30312
YES
Paramètres du produit
TAPERDESCRIPTION
FabricantAnbon Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipation de puissance (maximum)700mW (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id1.25V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurSOT-23
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (Max)±10V
Tension drain-source (Vdss)20 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs3.81 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 10 V
captcha

+86-15869849588
0