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AS3401
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
AS3401
FET simples, MOSFET
Anbon Semiconductor
P-CHANNEL ENHAN
-
Bande et bobine (TR)
65263
1
: $0.2800
: 65263

1

$0.2800

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10

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$150.0000

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$2,250.0000

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$0.0300

$4,500.0000

image of FET simples, MOSFET>AS3401
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AS3401
-
Anbon Semiconductor
P-CHANNEL ENHAN
-
Bande et bobine (TR)
65263
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantAnbon Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETP-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C4.4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.4A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)1.2W (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurSOT-23
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Vgs (Max)±12V
Tension drain-source (Vdss)30 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs7.2 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 15 V
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