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BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
BSS138
FET simples, MOSFET
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL ENHAN
-
Bande et bobine (TR)
121262
1
: $0.0300
: 121262

1

$0.1600

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10

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$1,500.0000

image of FET simples, MOSFET>BSS138
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BSS138
-
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL ENHAN
-
Bande et bobine (TR)
121262
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantAnbon Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C220mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (maximum)350mW (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurSOT-23
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)50 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds27 pF @ 25 V
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