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BY25D16ASSJG(R)
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
BY25D16ASSJG(R)
Mémoire
BYTe Semiconductor
16 MBIT, 3.0V (
-
Bande et bobine (TR)
6500
1
: $0.2300
: 6500

4000

$0.2300

$920.0000

8000

$0.2100

$1,680.0000

12000

$0.2000

$2,400.0000

28000

$0.1900

$5,320.0000

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BY25D16ASSJG(R)
-
BYTe Semiconductor
16 MBIT, 3.0V (
-
Bande et bobine (TR)
6500
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantBYTe Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Type de montageSurface Mount
Taille mémoire16Mbit
Type de mémoireNon-Volatile
Température de fonctionnement-40°C ~ 105°C (TA)
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Fréquence d'horloge108 MHz
Format de mémoireFLASH
Package d'appareil du fournisseur8-SOP
Temps de cycle d'écriture - Word, Page2.4ms
Interface mémoireSPI - Dual I/O
Temps d'accès7 ns
Organisation de la mémoire2M x 8
captcha

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