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BY25Q128ASWIG(R)
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
BY25Q128ASWIG(R)
Mémoire
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Bande et bobine (TR)
6500
1
: $0.8300
: 6500

3000

$0.8300

$2,490.0000

6000

$0.8000

$4,800.0000

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BY25Q128ASWIG(R)
-
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Bande et bobine (TR)
6500
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantBYTe Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-WDFN Exposed Pad
Type de montageSurface Mount
Taille mémoire128Mbit
Type de mémoireNon-Volatile
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Fréquence d'horloge108 MHz
Format de mémoireFLASH
Package d'appareil du fournisseur8-WSON (5x6)
Temps de cycle d'écriture - Word, Page50µs, 2.4ms
Interface mémoireSPI - Quad I/O
Temps d'accès7 ns
Organisation de la mémoire16M x 8
captcha

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