+86-15869849588
  • image of Mémoire>BY25Q128ESSIG(T)
  • image of Mémoire>BY25Q128ESSIG(T)
BY25Q128ESSIG(T)
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
BY25Q128ESSIG(T)
Mémoire
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Tube
16000
1
: $1.0000
: 16000

1

$1.4300

$1.4300

10

$1.2800

$12.8000

95

$1.0000

$95.0000

285

$0.9300

$265.0500

570

$0.8200

$467.4000

1045

$0.6500

$679.2500

2565

$0.6100

$1,564.6500

5035

$0.5800

$2,920.3000

image of Mémoire>BY25Q128ESSIG(T)
image of Mémoire>BY25Q128ESSIG(T)
BY25Q128ESSIG(T)
-
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Tube
16000
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantBYTe Semiconductor
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Type de montageSurface Mount
Taille mémoire128Mbit
Type de mémoireNon-Volatile
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Fréquence d'horloge120 MHz
Format de mémoireFLASH
Package d'appareil du fournisseur8-SOP
Temps de cycle d'écriture - Word, Page60µs, 2.4ms
Interface mémoireSPI - Quad I/O
Temps d'accès7.5 ns
Organisation de la mémoire16M x 8
captcha

+86-15869849588
0