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BY25Q128ESWIG(R)
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
BY25Q128ESWIG(R)
Mémoire
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Bande et bobine (TR)
9499
1
: $0.6700
: 9499

1

$1.5700

$1.5700

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$9,150.0000

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BY25Q128ESWIG(R)
-
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Bande et bobine (TR)
9499
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantBYTe Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-WDFN Exposed Pad
Type de montageSurface Mount
Taille mémoire128Mbit
Type de mémoireNon-Volatile
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Fréquence d'horloge120 MHz
Format de mémoireFLASH
Package d'appareil du fournisseur8-WSON (5x6)
Temps de cycle d'écriture - Word, Page60µs, 2.4ms
Interface mémoireSPI - Quad I/O
Temps d'accès7.5 ns
Organisation de la mémoire16M x 8
captcha

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