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BY25Q32ESWIG(R)
32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
BY25Q32ESWIG(R)
Mémoire
BYTe Semiconductor
32 MBIT, 3.0V (
-
Bande et bobine (TR)
6500
1
: $0.8100
: 6500

1

$0.8100

$0.8100

10

$0.7200

$7.2000

25

$0.6700

$16.7500

100

$0.5500

$55.0000

250

$0.5100

$127.5000

500

$0.4300

$215.0000

1000

$0.3500

$350.0000

3000

$0.3100

$930.0000

6000

$0.2900

$1,740.0000

15000

$0.2800

$4,200.0000

30000

$0.2700

$8,100.0000

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BY25Q32ESWIG(R)
-
BYTe Semiconductor
32 MBIT, 3.0V (
-
Bande et bobine (TR)
6500
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantBYTe Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-WDFN Exposed Pad
Type de montageSurface Mount
Taille mémoire32Mbit
Type de mémoireNon-Volatile
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Fréquence d'horloge120 MHz
Format de mémoireFLASH
Package d'appareil du fournisseur8-WSON (5x6)
Temps de cycle d'écriture - Word, Page50µs, 2.4ms
Interface mémoireSPI - Quad I/O
Temps d'accès11.5 ns
Organisation de la mémoire4M x 8
captcha

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