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BY25Q64ESTIG(R)
64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
BY25Q64ESTIG(R)
Mémoire
BYTe Semiconductor
64 MBIT, 3.0V (
-
Bande et bobine (TR)
10475
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: $0.3900
: 10475

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$9,800.0000

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BY25Q64ESTIG(R)
-
BYTe Semiconductor
64 MBIT, 3.0V (
-
Bande et bobine (TR)
10475
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantBYTe Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montageSurface Mount
Taille mémoire64Mbit
Type de mémoireNon-Volatile
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Fréquence d'horloge120 MHz
Format de mémoireFLASH
Package d'appareil du fournisseur8-SOP
Temps de cycle d'écriture - Word, Page50µs, 2.4ms
Interface mémoireSPI - Quad I/O
Temps d'accès11.5 ns
Organisation de la mémoire8M x 8
captcha

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