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CGD65A055S2-T07
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
CGD65A055S2-T07
FET simples, MOSFET
Cambridge GaN Devices
650V GAN HEMT,
-
Bande et bobine (TR)
7237
1
: $9.5400
: 7237

1

$15.0600

$15.0600

10

$13.2700

$132.7000

100

$11.4700

$1,147.0000

500

$10.4000

$5,200.0000

1000

$9.5400

$9,540.0000

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CGD65A055S2-T07
-
Cambridge GaN Devices
650V GAN HEMT,
-
Bande et bobine (TR)
7237
YES
Paramètres du produit
TAPERDESCRIPTION
FabricantCambridge GaN Devices
SérieICeGaN™
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse16-PowerVDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C27A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 2.2A, 12V
Fonctionnalité FETCurrent Sensing
Vgs(e) (Max) @ Id4.2V @ 10mA
Package d'appareil du fournisseur16-DFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)12V
Vgs (Max)+20V, -1V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 12 V
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