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EM6AA160TSE-4IG
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
EM6AA160TSE-4IG
Mémoire
Etron Technology
IC DRAM 256MBIT
-
Bande et bobine (TR)
6500
1
: $1.9900
: 6500

1000

$1.9900

$1,990.0000

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EM6AA160TSE-4IG
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Etron Technology
IC DRAM 256MBIT
-
Bande et bobine (TR)
6500
YES
Paramètres du produit
TAPERDESCRIPTION
FabricantEtron Technology
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Type de montageSurface Mount
Taille mémoire256Mbit
Type de mémoireVolatile
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation2.3V ~ 2.7V
TechnologieSDRAM - DDR
Fréquence d'horloge250 MHz
Format de mémoireDRAM
Package d'appareil du fournisseur66-TSOP II
Temps de cycle d'écriture - Word, Page15ns
Interface mémoireParallel
Temps d'accès700 ps
Organisation de la mémoire16M x 16
DigiKey programmableNot Verified
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