1
$1.1700
$1.1700
10
$0.9500
$9.5000
100
$0.7400
$74.0000
500
$0.6300
$315.0000
1000
$0.5100
$510.0000
2500
$0.4800
$1,200.0000
5000
$0.4600
$2,300.0000
12500
$0.4400
$5,500.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | EPC |
| Série | eGaN® |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | Die |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 3.4A (Ta) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 1.5A, 5V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Package d'appareil du fournisseur | Die |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 15 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.93 nC @ 5 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 105 pF @ 6 V |
