1
$9.7400
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10
$8.3500
$83.5000
100
$6.9500
$695.0000
500
$6.1400
$3,070.0000
1000
$5.5200
$5,520.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | EPC |
| Série | eGaN® |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | Die |
| Type de montage | Surface Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 9.5A, 38A |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| Package d'appareil du fournisseur | Die |
