1
$6.4800
$6.4800
10
$5.4400
$54.4000
100
$4.4000
$440.0000
500
$3.9100
$1,955.0000
1000
$3.3500
$3,350.0000
2500
$3.1500
$7,875.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | EPC |
| Série | eGaN® |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | Die |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 90A (Ta) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 29A, 5V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 13mA |
| Package d'appareil du fournisseur | Die |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Tension drain-source (Vdss) | 80 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 5 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1940 pF @ 40 V |
