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FBG04N08AC
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
FBG04N08AC
FET simples, MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 40
-
En gros
6666
: $287.7600
: 6666

1

$287.7600

$287.7600

10

$269.5200

$2,695.2000

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EPC Space
GAN FET HEMT 40
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En gros
6666
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantEPC Space
Série-
EmballerEn gros
État du produitACTIVE
Colis/Caisse4-SMD, No Lead
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C8A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 2mA
Package d'appareil du fournisseur4-SMD
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)5V
Vgs (Max)+6V, -4V
Tension drain-source (Vdss)40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs2.8 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds312 pF @ 20 V
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