+86-15869849588
  • image of FET simples, MOSFET>FBG04N30BC
  • image of FET simples, MOSFET>FBG04N30BC
  • image of FET simples, MOSFET>FBG04N30BC
  • image of FET simples, MOSFET>FBG04N30BC
FBG04N30BC
GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
FBG04N30BC
FET simples, MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 40
-
En gros
6641
: $287.7600
: 6641

1

$287.7600

$287.7600

10

$269.5200

$2,695.2000

image of FET simples, MOSFET>FBG04N30BC
image of FET simples, MOSFET>FBG04N30BC
image of FET simples, MOSFET>FBG04N30BC
FBG04N30BC
-
EPC Space
GAN FET HEMT 40
-
En gros
6641
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
PDF(2)
TAPERDESCRIPTION
FabricantEPC Space
SérieFSMD-B
EmballerEn gros
État du produitACTIVE
Colis/Caisse4-SMD, No Lead
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C30A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 9mA
Package d'appareil du fournisseur4-SMD
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)5V
Vgs (Max)+6V, -4V
Tension drain-source (Vdss)40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs11.4 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 20 V
captcha

+86-15869849588
0