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FBG10N05ASH
GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
FBG10N05ASH
FET simples, MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 10
-
En gros
6549
: $392.7500
: 6549

1

$392.7500

$392.7500

10

$377.9900

$3,779.9000

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FBG10N05ASH
-
EPC Space
GAN FET HEMT 10
-
En gros
6549
NO
Paramètres du produit
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TAPERDESCRIPTION
FabricantEPC Space
SérieeGaN®
EmballerEn gros
État du produitACTIVE
Colis/Caisse4-SMD, No Lead
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 5A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 1.2mA
Package d'appareil du fournisseur4-SMD
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)5V
Vgs (Max)+6V, -4V
Tension drain-source (Vdss)100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs2.2 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds233 pF @ 50 V
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