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FBG20N04ASH
GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
FBG20N04ASH
FET simples, MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 20
-
En gros
6525
: $392.7500
: 6525

1

$392.7500

$392.7500

10

$377.9900

$3,779.9000

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FBG20N04ASH
-
EPC Space
GAN FET HEMT 20
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En gros
6525
NO
Paramètres du produit
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TAPERDESCRIPTION
FabricantEPC Space
Sériee-GaN®
EmballerEn gros
État du produitACTIVE
Colis/Caisse4-SMD, No Lead
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 4A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseur4-SMD
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)5V
Vgs (Max)+6V, -4V
Tension drain-source (Vdss)200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 100 V
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