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FBG30N04CSH
GANFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
FBG30N04CSH
Matrices FET, MOSFET
EPC Space
GANFET 2N-CH 30
-
En gros
6550
: $421.3000
: 6550

1

$421.3000

$421.3000

10

$405.4600

$4,054.6000

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FBG30N04CSH
-
EPC Space
GANFET 2N-CH 30
-
En gros
6550
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantEPC Space
SérieeGaN®
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État du produitACTIVE
Colis/Caisse4-SMD, No Lead
Type de montageSurface Mount
Configuration2 N-Channel
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)300V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C4A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 150V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs404mOhm @ 4A, 5V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs2.6nC @ 5V
Vgs(e) (Max) @ Id2.8V @ 600µA
Package d'appareil du fournisseur4-SMD
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