+86-15869849588
  • image of FET simples, MOSFET>G06N06S
  • image of FET simples, MOSFET>G06N06S
G06N06S
N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
G06N06S
FET simples, MOSFET
Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<22
-
Bande et bobine (TR)
12642
1
: $0.2200
: 12642

1

$0.5900

$0.5900

10

$0.5100

$5.1000

100

$0.3500

$35.0000

500

$0.2900

$145.0000

1000

$0.2500

$250.0000

2000

$0.2200

$440.0000

4000

$0.2200

$880.0000

8000

$0.2100

$1,680.0000

12000

$0.2000

$2,400.0000

28000

$0.1900

$5,320.0000

image of FET simples, MOSFET>G06N06S
image of FET simples, MOSFET>G06N06S
G06N06S
-
Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<22
-
Bande et bobine (TR)
12642
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
SérieTrenchFET®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C8A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)2.1W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur8-SOP
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)60 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 30 V
captcha

+86-15869849588
0