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G06NP06S2
MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SOP
G06NP06S2
Matrices FET, MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET N/P-CH 6
-
Bande et bobine (TR)
18460
1
: $0.8300
: 18460

1

$0.8300

$0.8300

10

$0.7200

$7.2000

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$0.5000

$50.0000

500

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$360.0000

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$0.3000

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$3,360.0000

28000

$0.2800

$7,840.0000

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G06NP06S2
-
Goford Semiconductor
MOSFET N/P-CH 6
-
Bande et bobine (TR)
18460
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
SérieTrenchFET®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-SOP
Type de montageSurface Mount
ConfigurationN and P-Channel
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max2W (Tc), 2.5W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C6A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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