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G08N02H
N20V, 12A, RD<11.3M@4.5V,VTH0.5V
G08N02H
FET simples, MOSFET
Goford Semiconductor
N20V, 12A, RD<1
-
Bande et bobine (TR)
6500
1
: $0.1000
: 6500

2500

$0.1000

$250.0000

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$0.0900

$1,125.0000

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$0.0900

$2,250.0000

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$0.0800

$5,000.0000

image of FET simples, MOSFET>G08N02H
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G08N02H
-
Goford Semiconductor
N20V, 12A, RD<1
-
Bande et bobine (TR)
6500
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-261-4, TO-261AA
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C12A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs11.3mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipation de puissance (maximum)1.7W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurSOT-223
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (Max)±12V
Tension drain-source (Vdss)20 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs12.5 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1255 pF @ 10 V
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