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G10N10A
N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
G10N10A
FET simples, MOSFET
Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)13
-
Bande et bobine (TR)
11294
1
: $0.5800
: 11294

1

$0.5800

$0.5800

10

$0.4900

$4.9000

100

$0.3400

$34.0000

500

$0.2700

$135.0000

1000

$0.2200

$220.0000

2500

$0.1900

$475.0000

5000

$0.1800

$900.0000

12500

$0.1700

$2,125.0000

25000

$0.1700

$4,250.0000

image of FET simples, MOSFET>G10N10A
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G10N10A
-
Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)13
-
Bande et bobine (TR)
11294
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
SérieTrenchFET®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C10A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)28W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-252
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs90 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds690 pF @ 25 V
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