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G12P10KE
P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
G12P10KE
FET simples, MOSFET
Goford Semiconductor
P-100V,ESD,-12A
-
Bande et bobine (TR)
7824
1
: $0.6100
: 7824

1

$0.6100

$0.6100

10

$0.5200

$5.2000

100

$0.3600

$36.0000

500

$0.2800

$140.0000

1000

$0.2300

$230.0000

2500

$0.2000

$500.0000

5000

$0.1900

$950.0000

12500

$0.1800

$2,250.0000

25000

$0.1800

$4,500.0000

image of FET simples, MOSFET>G12P10KE
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G12P10KE
-
Goford Semiconductor
P-100V,ESD,-12A
-
Bande et bobine (TR)
7824
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
SérieTrenchFET®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETP-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C12A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)57W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-252
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1720 pF @ 50 V
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