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G35N02K
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
G35N02K
FET simples, MOSFET
Goford Semiconductor
N20V,RD(MAX)<13
-
Bande et bobine (TR)
6717
1
: $0.4300
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1

$0.4300

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10

$0.3700

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$0.1200

$7,500.0000

image of FET simples, MOSFET>G35N02K
image of FET simples, MOSFET>G35N02K
G35N02K
-
Goford Semiconductor
N20V,RD(MAX)<13
-
Bande et bobine (TR)
6717
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C35A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 20A, 4.5V
Dissipation de puissance (maximum)40W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-252
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (Max)±12V
Tension drain-source (Vdss)20 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1380 pF @ 10 V
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