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G60N04K
N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
G60N04K
FET simples, MOSFET
Goford Semiconductor
N40V,RD(MAX)<7M
-
Bande et bobine (TR)
8932
1
: $0.7200
: 8932

1

$0.7200

$0.7200

10

$0.6200

$6.2000

100

$0.4300

$43.0000

500

$0.3600

$180.0000

1000

$0.3100

$310.0000

2500

$0.2700

$675.0000

5000

$0.2600

$1,300.0000

12500

$0.2400

$3,000.0000

25000

$0.2400

$6,000.0000

image of FET simples, MOSFET>G60N04K
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G60N04K
-
Goford Semiconductor
N40V,RD(MAX)<7M
-
Bande et bobine (TR)
8932
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
SérieTrenchFET®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C60A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)65W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-252 (DPAK)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)40 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 20 V
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