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G7P03S
P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33
G7P03S
FET simples, MOSFET
Goford Semiconductor
P30V,RD(MAX)<22
-
Bande et bobine (TR)
10126
1
: $0.4000
: 10126

1

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$90.0000

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$3,360.0000

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G7P03S
-
Goford Semiconductor
P30V,RD(MAX)<22
-
Bande et bobine (TR)
10126
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
SérieTrenchFET®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETP-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C9A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)2.7W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur8-SOP
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)30 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1253 pF @ 15 V
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