1
$0.4400
$0.4400
10
$0.3100
$3.1000
100
$0.1600
$16.0000
500
$0.1400
$70.0000
1000
$0.1100
$110.0000
2500
$0.1000
$250.0000
5000
$0.1000
$500.0000
12500
$0.0800
$1,000.0000
25000
$0.0800
$2,000.0000
62500
$0.0700
$4,375.0000
125000
$0.0700
$8,750.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Goford Semiconductor |
| Série | TrenchFET® |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-261-4, TO-261AA |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 3A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 1.2W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | SOT-223 |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 457 pF @ 30 V |
