+86-15869849588
  • image of FET simples, MOSFET>GC041N65QF
  • image of FET simples, MOSFET>GC041N65QF
GC041N65QF
MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
GC041N65QF
FET simples, MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 650
-
Tube
6530
1
: $10.8400
: 6530

1

$10.8400

$10.8400

10

$9.5500

$95.5000

100

$8.2600

$826.0000

500

$7.4900

$3,745.0000

1000

$6.8700

$6,870.0000

image of FET simples, MOSFET>GC041N65QF
image of FET simples, MOSFET>GC041N65QF
GC041N65QF
-
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 650
-
Tube
6530
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-3
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C70A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 38A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)500W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-247
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±30V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7650 pF @ 380 V
captcha

+86-15869849588
0