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GC120N65QF
MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
GC120N65QF
FET simples, MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 650
-
Tube
6530
1
: $6.5200
: 6530

1

$6.5200

$6.5200

10

$5.5900

$55.9000

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$4.6600

$466.0000

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$3.7000

$3,700.0000

2000

$3.4700

$6,940.0000

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GC120N65QF
-
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 650
-
Tube
6530
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-3
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C30A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 38A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)96.1W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-247
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±30V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3100 pF @ 275 V
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