+86-15869849588
  • image of FET simples, MOSFET>GCMX040B120S1-E1
  • image of FET simples, MOSFET>GCMX040B120S1-E1
GCMX040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
GCMX040B120S1-E1
FET simples, MOSFET
SemiQ
SIC 1200V 40M M
-
Tube
6607
1
: $25.0800
: 6607

1

$28.2300

$28.2300

10

$25.0800

$250.8000

100

$21.9400

$2,194.0000

500

$18.7200

$9,360.0000

image of FET simples, MOSFET>GCMX040B120S1-E1
image of FET simples, MOSFET>GCMX040B120S1-E1
GCMX040B120S1-E1
-
SemiQ
SIC 1200V 40M M
-
Tube
6607
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantSemiQ
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseSOT-227-4, miniBLOC
Type de montageChassis Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C57A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 40A, 20V
Dissipation de puissance (maximum)242W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 10mA
Package d'appareil du fournisseurSOT-227
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (Max)+25V, -10V
Tension drain-source (Vdss)1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs121 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3185 pF @ 1000 V
captcha

+86-15869849588
0