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GPI90005DF88
GaNFET N-CH 900V 5A DFN8x8
GPI90005DF88
FET simples, MOSFET
GaNPower
GaNFET N-CH 90
-
Bande et bobine (TR)
6550
1
: $3.1300
: 6550

1

$3.1300

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-
GaNPower
GaNFET N-CH 90
-
Bande et bobine (TR)
6550
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGaNPower
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-DFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C5A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 1A, 6V
Vgs(e) (Max) @ Id1.3V @ 3.5mA
Package d'appareil du fournisseur8-DFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)6V
Vgs (Max)+7.5V, -12V
Tension drain-source (Vdss)900 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs1.6 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds39 pF @ 400 V
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