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GT045N10M
N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
GT045N10M
FET simples, MOSFET
Goford Semiconductor
N100V, 120A,RD<
-
Bande et bobine (TR)
7194
1
: $1.8200
: 7194

1

$1.8200

$1.8200

10

$1.5100

$15.1000

100

$1.2000

$120.0000

800

$1.0200

$816.0000

1600

$0.8600

$1,376.0000

2400

$0.8200

$1,968.0000

5600

$0.7900

$4,424.0000

image of FET simples, MOSFET>GT045N10M
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GT045N10M
-
Goford Semiconductor
N100V, 120A,RD<
-
Bande et bobine (TR)
7194
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
SérieSGT
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C120A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)180W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-263
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4198 pF @ 50 V
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