+86-15869849588
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GT700P08K
P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
GT700P08K
FET simples, MOSFET
Goford Semiconductor
P-80V,-20A,RD(M
-
Bande et bobine (TR)
8977
1
: $0.7800
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1

$0.7800

$0.7800

10

$0.6800

$6.8000

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$0.4700

$47.0000

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$195.0000

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$0.3300

$330.0000

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$0.2800

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$3,250.0000

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$0.2600

$6,500.0000

image of FET simples, MOSFET>GT700P08K
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GT700P08K
-
Goford Semiconductor
P-80V,-20A,RD(M
-
Bande et bobine (TR)
8977
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETP-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C20A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)125W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-252
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)60 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1615 pF @ 40 V
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