| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Honeywell Aerospace |
| Série | HTMOS™ |
| Emballer | En gros |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 8-CDIP Exposed Pad |
| Type de montage | Through Hole |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 50W (Tj) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 55 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 28 V |
