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ICE19N60L
Superjunction MOSFET
ICE19N60L
FET simples, MOSFET
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Bande et bobine (TR)
12500
: $2.4800
: 12500

3000

$2.4800

$7,440.0000

9000

$2.3200

$20,880.0000

15000

$2.1200

$31,800.0000

21000

$1.9400

$40,740.0000

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ICE19N60L
-
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Bande et bobine (TR)
12500
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantIceMOS Technology
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse4-PowerTSFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C19A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)236W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id3.9V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur4-DFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)600 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs59 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2064 pF @ 25 V
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