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ICE20N60B
Superjunction MOSFET
ICE20N60B
FET simples, MOSFET
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Bande et bobine (TR)
12100
: $2.4600
: 12100

800

$2.4600

$1,968.0000

1600

$2.3100

$3,696.0000

2400

$2.1100

$5,064.0000

3200

$1.9400

$6,208.0000

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ICE20N60B
-
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Bande et bobine (TR)
12100
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantIceMOS Technology
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C20A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)236W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id3.9V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-263
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)600 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs59 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2064 pF @ 25 V
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