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IRFD210
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
IRFD210
FET simples, MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 200
-
Tube
6500
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Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 200
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Tube
6500
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantVishay / Siliconix
Série-
EmballerTube
État du produitOBSOLETE
Colis/Caisse4-DIP (0.300", 7.62mm)
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C600mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 360mA, 10V
Dissipation de puissance (maximum)1W (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur4-HVMDIP
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs8.2 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 25 V
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