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IRFSL31N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
IRFSL31N20DTRL
FET simples, MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 200
-
Bande et bobine (TR)
6500
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Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 200
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Bande et bobine (TR)
6500
NO
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantVishay / Siliconix
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C31A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs82mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id5.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurI2PAK
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±30V
Tension drain-source (Vdss)200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2370 pF @ 25 V
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