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IV1Q12050T4
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
IV1Q12050T4
FET simples, MOSFET
Inventchip Technology
SIC MOSFET, 120
-
Tube
6500
1
: $37.0400
: 6500

1

$37.0400

$37.0400

10

$32.9100

$329.1000

100

$28.7900

$2,879.0000

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IV1Q12050T4
-
Inventchip Technology
SIC MOSFET, 120
-
Tube
6500
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantInventchip Technology
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-4
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C58A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 20A, 20V
Dissipation de puissance (maximum)344W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id3.2V @ 6mA
Package d'appareil du fournisseurTO-247-4
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (Max)+20V, -5V
Tension drain-source (Vdss)1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2750 pF @ 800 V
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