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IV1Q12160T4
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
IV1Q12160T4
FET simples, MOSFET
Inventchip Technology
SIC MOSFET, 120
-
Tube
6606
1
: $18.0300
: 6606

1

$18.0300

$18.0300

10

$15.8800

$158.8000

100

$13.7400

$1,374.0000

500

$12.4500

$6,225.0000

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IV1Q12160T4
-
Inventchip Technology
SIC MOSFET, 120
-
Tube
6606
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantInventchip Technology
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-4
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C20A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs195mOhm @ 10A, 20V
Dissipation de puissance (maximum)138W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2.9V @ 1.9mA
Package d'appareil du fournisseurTO-247-4
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (Max)+20V, -5V
Tension drain-source (Vdss)1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds885 pF @ 800 V
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