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K6F2016U4E-EF70T
SRAM ASYNC SLOW 2M 128Kx16 3.3V
K6F2016U4E-EF70T
Mémoire
Samsung Semiconductor
SRAM ASYNC SLOW
-
Bande et bobine (TR)
8627
: $1.6000
: 8627

100

$1.6000

$160.0000

500

$1.4500

$725.0000

2000

$1.3000

$2,600.0000

image of Mémoire>K6F2016U4E-EF70T
K6F2016U4E-EF70T
-
Samsung Semiconductor
SRAM ASYNC SLOW
-
Bande et bobine (TR)
8627
NO
Paramètres du produit
TAPERDESCRIPTION
FabricantSamsung Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitOBSOLETE
Type de montageSurface Mount
Taille mémoire2Mbit
Type de mémoireVolatile
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
TechnologieSRAM - Asynchronous
Format de mémoireSRAM
Package d'appareil du fournisseur48-TFBGA (6x7)
Temps de cycle d'écriture - Word, Page70ns
Interface mémoireParallel
Organisation de la mémoire128K x 16
DigiKey programmableNot Verified
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