MS80-100-S3 RFI et EMI - Matériaux de blindage et absorbants_Éléments (Hong Kong) Science et technologie - Composants électroniques - Circuits intégrés - IC - Résistances - Condensateurs - Dispositifs discrets - Composants électroniques Distributeurs indépendants

MS80-100-S3

RF EMI ABSORB SHEET 300MMX8.268"

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MS80-100-S3

RFI et EMI - Matériaux de blindage et absorbants

WITHWAVE CO LTD

RF EMI ABSORB S

Feuille

6502

: $180.2000

: 6502

$180.2000

$171.2000

$1,712.0000

$162.2000

$4,055.0000

$153.2000

$7,660.0000

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MS80-100-S3

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WITHWAVE CO LTD

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RF EMI ABSORB S

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Feuille

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6502

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瑞盟-Relmon

高速运算放大器

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瑞盟-Relmon

轨到轨输出CMOS运放

MS80-100-S3

瑞盟-Relmon

轨到轨输出运放

MS80-100-S3

瑞盟-Relmon

高速运算放大器

MS80-100-S3

瑞盟-Relmon

轨到轨输出运放

MS80-100-S3

瑞盟-Relmon

轨到轨输出CMOS运放

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瑞盟-Relmon

轨到轨输出运放

MS80-100-S3

瑞盟-Relmon

高速运算放大器

MS80-100-S3

瑞盟-Relmon

通用运算放大器

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瑞盟-Relmon

250MHz 轨到轨输出 CMOS 运算放大器

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瑞盟-Relmon

高速运算放大器

MS80-100-S3

晟矽微-Sinomcu

8位 8051 芯片

MS80-100-S3

瑞盟-Relmon

350MHz、轨到轨输出、带使能端运算放大器

MS80-100-S3

瑞盟-Relmon

轨到轨输出CMOS运放

MS80-100-S3

晟矽微-Sinomcu

32位 M0 芯片

MS80-100-S3

微芯-Microchip

Silicon & GaAs Schottky Diodes

MS80-100-S3

微芯-Microchip

Silicon & GaAs Schottky Diodes

MS80-100-S3

微芯-Microchip

Silicon & GaAs Schottky Diodes

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微芯-Microchip

Silicon & GaAs Schottky Diodes

MS80-100-S3

美微科-MCC

小信号双极型晶体管

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美微科-MCC

小信号双极型晶体管

MS80-100-S3

富士-FUJI

肖特基势垒二极管（双管）

MS80-100-S3

米芯-Minisilicon

跨阻放大器

MS80-100-S3

米芯-Minisilicon

跨阻放大器

MS80-100-S3

晟矽微-Sinomcu

32位 M0 芯片

MS80-100-S3

粤原点-Origin-gd

8 位 FLASH 单片机

MS80-100-S3

粤原点-Origin-gd

8 位 FLASH 单片机

MS80-100-S3

宏晶微-MacroSilicon

多功能视频处理器

MS80-100-S3

梅特勒-托利多

实验室天平

MS80-100-S3

Madison

料位开关

MS80-100-S3

Madison

料位开关

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大东通信-Daito

Chip Fuses

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维萨拉-Vaisala

温湿度变送器

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恩智浦-NXP

HITAG µ (ISO14223) and (ISO11784/85) Transponder IC

MS80-100-S3

安森美-ONSEMI

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，200A，0.65mΩ

MS80-100-S3

安森美-ONSEMI

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，131A，2.5mΩ

MS80-100-S3

安森美-ONSEMI

N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，49A，2.4mΩ

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恩智浦-NXP

HITAG µ (ISO14223) and (ISO11784/85) Transponder IC

MS80-100-S3

安森美-ONSEMI

双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V

MS80-100-S3

安森美-ONSEMI

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，423A，0.65mΩ

MS80-100-S3

安森美-ONSEMI

100V 对称双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40A，13mΩ

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安森美-ONSEMI

30V N沟道PowerTrench® MOSFET

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安森美-ONSEMI

N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，22A，5.0mΩ

MS80-100-S3

安森美-ONSEMI

30V N沟道PowerTrench® SyncFET™

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安森美-ONSEMI

30V N沟道PowerTrench® SyncFET™

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恩智浦-NXP

HITAG µ (ISO14223) and (ISO11784/85) Transponder IC

MS80-100-S3

中微-Cmsemicon

增强型闪存 8 位 1T 8051 单片机

MS80-100-S3

中微-Cmsemicon

增强型闪存8位1T 8051微控制器

MS80-100-S3

中微-Cmsemicon

增强型1T 8051 Flash MCU

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中微-Cmsemicon

增强型闪存 8 位 1T 8051 单片机

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瑞盟-Relmon

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瑞盟-Relmon

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瑞盟-Relmon

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瑞盟-Relmon

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瑞盟-Relmon

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瑞盟-Relmon

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瑞盟-Relmon

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瑞盟-Relmon

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瑞盟-Relmon

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晟矽微-Sinomcu

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瑞盟-Relmon

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瑞盟-Relmon

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晟矽微-Sinomcu

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微芯-Microchip

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微芯-Microchip

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微芯-Microchip

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微芯-Microchip

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美微科-MCC

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美微科-MCC

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富士-FUJI

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米芯-Minisilicon

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米芯-Minisilicon

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晟矽微-Sinomcu

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粤原点-Origin-gd

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宏晶微-MacroSilicon

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梅特勒-托利多

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Madison

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Madison

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维萨拉-Vaisala

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恩智浦-NXP

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安森美-ONSEMI

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安森美-ONSEMI

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安森美-ONSEMI

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安森美-ONSEMI

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安森美-ONSEMI

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中微-Cmsemicon

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中微-Cmsemicon

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Paramètres du produit

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	WITHWAVE CO LTD
Série	W-Absorber™
Emballer	Feuille
État du produit	ACTIVE
Matériel	Polymer Resin, Magnetic Powder
Longueur	11.811" (300.00mm)
Forme	Sheet
Taper	Absorbing Sheet
Largeur	8.268" (210.00mm)
Température de fonctionnement	-30°C ~ 90°C
Adhésif	Self-Adhesive
Épaisseur - Hors tout	0.039" (1.00mm)