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NE3509M04-T2-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
NE3509M04-T2-A
FET RF, MOSFET
CEL (California Eastern Laboratories)
RF MOSFET GAAS
-
Bande et bobine (TR)
6500
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NE3509M04-T2-A
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CEL (California Eastern Laboratories)
RF MOSFET GAAS
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Bande et bobine (TR)
6500
NO
Paramètres du produit
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PDF(3)
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TAPERDESCRIPTION
FabricantCEL (California Eastern Laboratories)
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitOBSOLETE
Colis/CaisseSOT-343F
Courant nominal (ampères)60mA
Fréquence2GHz
Puissance - Sortie11dBm
Gagner17.5dB
TechnologieGaAs HJ-FET
Chiffre de bruit0.4dB
Package d'appareil du fournisseurM04
Tension - Nominale4 V
Tension - Test2 V
Actuel - Test10 mA
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