+86-15869849588
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NVMFS6H836NT3G
T8 80V SO8FL
NVMFS6H836NT3G
FET simples, MOSFET
Sanyo Semiconductor/onsemi
T8 80V SO8FL
-
Bande et bobine (TR)
11500
1
: $0.5500
: 11500

1

$1.4000

$1.4000

10

$1.1500

$11.5000

100

$0.8900

$89.0000

500

$0.7500

$375.0000

1000

$0.6100

$610.0000

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$0.5800

$1,160.0000

5000

$0.5500

$2,750.0000

10000

$0.5300

$5,300.0000

image of FET simples, MOSFET>NVMFS6H836NT3G
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NVMFS6H836NT3G
-
Sanyo Semiconductor/onsemi
T8 80V SO8FL
-
Bande et bobine (TR)
11500
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantSanyo Semiconductor/onsemi
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerTDFN, 5 Leads
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C15A (Ta), 74A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs6.7mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 95µA
Package d'appareil du fournisseur5-DFN (5x6) (8-SOFL)
GradeAutomotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)80 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1640 pF @ 40 V
QualificationAEC-Q101
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