+86-15869849588
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QS1700SCM8
1700v 8AMP SiC Mosfet
QS1700SCM8
FET simples, MOSFET
Quest Semi
1700v 8AMP SiC
-
Tube
9000
1
: $12.5000
: 9000

500

$12.5000

$6,250.0000

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QS1700SCM8
-
Quest Semi
1700v 8AMP SiC
-
Tube
9000
YES
QS1700SCM8
威世-Vishay
Automotive N-Channel 72 V (D-S) 175 °C MOSFET
QS1700SCM8
威世-Vishay
Automotive N-Channel 72 V (D-S) 175 °C MOSFET
QS1700SCM8
力特-Littelfuse
半导体保险丝
QS1700SCM8
力特-Littelfuse
半导体保险丝
QS1700SCM8
力特-Littelfuse
半导体保险丝
QS1700SCM8
力特-Littelfuse
半导体保险丝
QS1700SCM8
力特-Littelfuse
半导体保险丝
QS1700SCM8
威世-Vishay
535833
QS1700SCM8
威世-Vishay
535840
QS1700SCM8
力特-Littelfuse
535844
QS1700SCM8
力特-Littelfuse
535850
QS1700SCM8
力特-Littelfuse
535855
QS1700SCM8
力特-Littelfuse
535858
QS1700SCM8
力特-Littelfuse
535863
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantQuest Semi
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-3
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C
TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C8A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 20V
Dissipation de puissance (maximum)88W
Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 10mA
Package d'appareil du fournisseurPG-TO247-3
GradeAutomotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)2V, 4V
Tension drain-source (Vdss)1700 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds142 pF @ 1000 V
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