+86-15869849588
  • image of Matrices FET, MOSFET>SIZF300DT-T1-GE3
  • image of Matrices FET, MOSFET>SIZF300DT-T1-GE3
  • image of Matrices FET, MOSFET>SIZF300DT-T1-GE3
  • image of Matrices FET, MOSFET>SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
SIZF300DT-T1-GE3
Matrices FET, MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 30
-
Bande et bobine (TR)
9326
1
: $0.4800
: 9326

1

$1.2200

$1.2200

10

$1.0000

$10.0000

100

$0.7700

$77.0000

500

$0.6600

$330.0000

1000

$0.5300

$530.0000

6000

$0.4800

$2,880.0000

9000

$0.4600

$4,140.0000

image of Matrices FET, MOSFET>SIZF300DT-T1-GE3
image of Matrices FET, MOSFET>SIZF300DT-T1-GE3
image of Matrices FET, MOSFET>SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3
-
Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 30
-
Bande et bobine (TR)
9326
YES
Paramètres du produit
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantVishay / Siliconix
SérieTrenchFET® Gen IV
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerWDFN
Type de montageSurface Mount
Configuration2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(e) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur8-PowerPair® (6x5)
captcha

+86-15869849588
0